페이지 정보 NS-C1 목록 Etching Process NS-C1 본문 적용 분야반도체 식각 공정 (할로겐화합물 흡착) Ion Implant 공정 (수소화물/불소화합물 흡착)AppearancePelletsizeØ3, 5, 16mmComponentMetal OxideTarget gasesCl2, HCl, F2, HF, BCl2, HBr, SiCl4, SiF4, BF3 다른 제품 NS-C1
